JFETs - Analog Devices Inc. - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 58

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

58 / 58 Страницы，Всего 695 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
AD820BR-REEL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	6588	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
AD823AR-REEL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	6629	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
AD8512BR-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	8766	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
AD8620AR-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	8505	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
ADA4062-2BRZ-RL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	2909	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
ADA4627-1BRZ-RL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	4525	RFQ	Tape & Reel (TR)	Obsolete	Подробности
LTC6269HDD	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 10DFN	8783	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
LTC6269HDD-10	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 10DFN	2412	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
LTC6269IDD	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 10DFN	9415	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
LTC6269IDD-10	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 10DFN	8637	RFQ	Tube	Obsolete	Подробности
LT1057SW#TRPBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 16SO	1622	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности

58 / 58 Страницы，Всего 695 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.